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硅片检测

发布时间:2025-03-11 09:34:20- 点击数: - 关键词:硅片检测

实验室拥有众多大型仪器及各类分析检测设备,研究所长期与各大企业、高校和科研院所保持合作伙伴关系,始终以科学研究为首任,以客户为中心,不断提高自身综合检测能力和水平,致力于成为全国科学材料研发领域服务平台。

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  哪里可以检测硅片?中析研究所检测中心提供硅片检测服务,出具的硅片检测报告支持扫码查询真伪。服务项目:元素分析、表面形貌、显微结构、结构分析、物理性能、薄膜厚度、电性能、化学成分等。实验室工程师严格按照相关标准进行实验,并且提供非标实验定制服务。

  检测周期:7-15个工作日,参考周期

  检测样品

  单晶硅片、多晶硅片、SOI硅片、玻璃硅片、氮化硅片。

  检测项目

  元素分析、表面形貌、显微结构、结构分析、物理性能、薄膜厚度、电性能、化学成分。

  检测方法

  表面形貌和显微结构分析:扫描电子显微镜、光学显微镜。

  结构分析:X射线衍射。

  物理性能测试:硬度计、弹性模量测量仪。

  电性能测试:电阻测试仪、载流子迁移率测量仪。

  元素分析:原子吸收光谱、电感耦合等离子体发射光谱、X射线荧光光谱。

  薄膜厚度测量:表面粗糙度仪、白光干涉仪。

  化学成分分析:滴定法、离子色谱法。

  表面清洁度测试:核磁共振、红外光谱。

  检测仪器

  扫描电子显微镜、原子力显微镜、光学显微镜、X射线衍射仪、电子探针微区分析仪、薄膜厚度计、电子束曝光仪、硬度计、弹性模量测量仪、红外光谱仪、电感耦合等离子体发射光谱。


  检测标准

  GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法

  GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

  GB/T 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法

  GB/T 6619-2009 硅片弯曲度测试方法

  GB/T 6620-2009 硅片翘曲度非接触式测试方法

  GB/T 6621-2009 硅片表面平整度测试方法

  GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法

  GB/T 13388-2009 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法

  GB/T 14140-2009 硅片直径测量方法

  GB/T 19444-2004 硅片氧沉淀特性的测定-间隙氧含量减少法

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